LESD14V2LT1G 时间：2025/8/14 0:51:22 阅读：18

LESD14V2LT1G是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的低电容ESD保护二极管，主要用于保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）和瞬态电压的损害。该器件采用先进的硅雪崩技术制造，能够在极短时间内响应并吸收高能量的ESD脉冲，从而有效保护下游电路。LESD14V2LT1G采用SOD-523封装，体积小巧，适合用于空间受限的应用场合。

参数

类型：ESD保护二极管
　　工作电压：14V
　　最大反向关断电压：14V
　　钳位电压（Ipp）：23.8V（最大）
　　峰值脉冲电流（Ipp）：8.4A
　　最大反向漏电流：0.1μA（最大）
　　电容（@ 1MHz）：6pF（典型值）
　　封装形式：SOD-523

特性

LESD14V2LT1G具有多项优异的电气特性和设计优势。首先，其低电容特性（典型值6pF）使其非常适合用于高速数据线路的保护，如USB、HDMI、以太网等接口，能够有效防止信号完整性受到影响。其次，该器件具有极快的响应时间，能够在纳秒级时间内对ESD事件做出反应，确保被保护电路不受损害。此外，LESD14V2LT1G的峰值脉冲电流能力达到8.4A，表明其具备较强的瞬态能量吸收能力，适用于严苛的电磁环境。
　　LESD14V2LT1G在正常工作条件下表现出极低的漏电流（最大0.1μA），这有助于降低功耗并提高系统稳定性。其14V的工作电压适用于多种低压电路的保护需求，广泛应用于便携式电子设备、通信设备和工业控制系统中。此外，SOD-523封装设计使得该器件易于集成到紧凑的PCB布局中，提高了设计的灵活性。

应用

LESD14V2LT1G主要应用于需要高可靠性ESD保护的电子设备中。典型应用包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中的高速数据接口保护，如USB 2.0、HDMI、DisplayPort等。在通信设备中，该器件可用于保护以太网接口、光纤模块和射频前端电路。在工业控制系统中，LESD14V2LT1G可用于保护PLC、传感器接口和现场总线通信线路，提高系统在恶劣电磁环境下的稳定性。此外，该器件还可用于保护消费类电子产品中的音频、视频接口和触摸屏控制器等。