类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：20V
　　连续漏极电流（ID）：80A
　　导通电阻（RDS(on)）：@ VGS=10V 时 ≤ 3.0mΩ
　　功率耗散（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装：DPAK (TO-252)

LTL30EKDFGJ 具备多项关键特性，使其在功率电子应用中表现出色。
　　首先，其低导通电阻（RDS(on)）特性显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体系统效率。在 VGS=10V 的条件下，RDS(on) 最大值为 3.0mΩ，这在同类器件中具有竞争优势。
　　其次，该 MOSFET 支持高达 80A 的连续漏极电流，适用于高电流负载应用，如 DC-DC 转换器、电机驱动器和电源管理模块。此外，LTL30EKDFGJ 的最大漏源电压为 30V，使其适用于中低压功率转换系统。
　　该器件的封装形式为 DPAK（TO-252），具备良好的热性能和机械稳定性，适用于表面贴装技术，便于 PCB 布局和自动化生产。同时，DPAK 封装具有良好的散热能力，有助于降低工作温度，提高器件的可靠性和寿命。
　　此外，LTL30EKDFGJ 还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高高频应用中的性能。其栅极电荷（Qg）较低，使得驱动电路设计更为简单，减少了驱动损耗。
　　最后，该器件符合 RoHS 环保标准，无铅封装，适用于工业级和消费级电子产品。

LTL30EKDFGJ 主要应用于需要高效率和高电流能力的功率电子系统。典型应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制器、电源管理模块以及工业自动化设备中的功率控制电路。其低导通电阻和高电流能力使其成为高性能电源设计的理想选择。在汽车电子领域，LTL30EKDFGJ 可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统（BMS）等应用。此外，该器件还可用于消费类电子产品中的电源适配器和便携式设备的电源管理电路。

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　　 "IRF3710",
　　 "Si4410BDY",
　　 "FDP3370",
　　 "NTMFS4C10N"
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