时间：2025/9/1 19:04:07
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H5TC1G83EFR-PBC是现代（Hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于低功耗DDR3 SDRAM（LPDDR3），主要用于移动设备和嵌入式系统中，以提供高性能和低功耗的内存解决方案。这款芯片的容量为1Gb（Gigabit），采用x8或x16的I/O配置，适用于智能手机、平板电脑以及其他对功耗和性能有较高要求的便携式设备。
容量：1Gb
类型：LPDDR3 SDRAM
封装类型：FBGA
引脚数：112-ball
电压：1.2V/1.8V
工作温度范围：-40°C至+85°C
数据宽度：x8/x16
最大时钟频率：800MHz
访问时间：1.25ns
封装尺寸：6.0mm x 8.0mm
H5TC1G83EFR-PBC具备多项先进的特性，使其适用于高性能移动设备和嵌入式系统。
首先，该芯片采用LPDDR3技术，能够在保持高性能的同时降低功耗，延长设备的电池寿命。其1.2V/1.8V双电压供电设计，使得在不同工作模式下都能实现最佳能效。
其次，H5TC1G83EFR-PBC采用了先进的CMOS工艺制造，确保了高可靠性和稳定性，能够在-40°C至+85°C的宽温度范围内稳定运行，适应各种严苛的工作环境。
此外，该芯片采用紧凑的112-ball FBGA封装，尺寸仅为6.0mm x 8.0mm，适合高密度主板设计，满足现代移动设备对空间的严格要求。
该芯片还支持多种低功耗模式，如预充电功耗下降模式（Precharge Power Down Mode）、自刷新模式（Self-Refresh Mode）和深度掉电模式（Deep Power Down Mode），以进一步降低系统功耗。
H5TC1G83EFR-PBC主要应用于需要高性能和低功耗内存解决方案的设备中，包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备、嵌入式系统以及便携式消费电子产品。其高密度和低功耗特性也使其适用于图形处理单元（GPU）缓存、视频处理模块和高端工业控制设备。
H5TC1G83EFR-PBC的替代型号包括H5TC4G63FFR-PBC（4Gb LPDDR3）和H5TC1G83BFR-PBC等。这些型号在容量、功耗和封装形式上略有不同，可根据具体应用需求进行选择。
