类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：11A
　　导通电阻（Rds(on)）：60mΩ（典型值）
　　功率耗散（Pd）：1.25W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

LTL307JGT 是一款高性能N沟道MOSFET，具有较低的导通电阻（Rds(on)），这使得在导通状态下功率损耗更小，从而提高了系统效率。
　　其11A的连续漏极电流能力使其适用于中高功率应用，例如DC-DC转换器、同步整流器和电机驱动电路。
　　该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了优良的开关性能和低栅极电荷（Qg），从而降低了开关损耗，提高了工作频率的适应能力。
　　此外，LTL307JGT 具有良好的热稳定性，其TO-252封装有助于快速散热，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持逻辑电平驱动，适用于多种控制电路，包括由微控制器直接驱动的应用场景。
　　其±20V的栅源电压耐受能力提供了更高的安全裕量，防止栅极电压尖峰造成的损坏。

LTL307JGT 主要应用于需要高效功率控制的场合，如笔记本电脑和移动设备的电源管理系统、DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池充放电控制器、电机驱动电路以及LED照明驱动系统。
　　由于其低导通电阻和良好的热性能，该器件特别适合用于需要高效率和小尺寸设计的便携式电子产品。
　　在工业控制领域，LTL307JGT 可用于PLC模块的负载开关、继电器替代电路以及自动化设备中的功率调节单元。
　　此外，该MOSFET还可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车载信息娱乐系统电源管理模块。
　　由于其具备较强的电流承载能力和良好的动态响应特性，也适用于PWM控制和高频开关电源设计。

Si4410BDY-E3、FDS4410A、IRLML6401TRPBF、NTMFS4C10N、FDMS3618