时间：2025/12/28 17:07:03
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LTL2T3TGKS6 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于高频率开关应用，具备低导通电阻和优良的热稳定性，广泛用于 DC-DC 转换器、电源管理和负载开关等场景。该封装形式为 TSMT6（Tiny Surface Mount T6），体积小巧，便于在紧凑型电路板中布局。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±8V
连续漏极电流（Id）：3.0A（在 25°C 下）
导通电阻（Rds(on)）：最大 8.5mΩ（在 Vgs=4.5V 时）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TSMT6
功率耗散（Pd）：2.0W
LTL2T3TGKS6 具备出色的导通性能和快速开关特性，使其适用于高频开关电源设计。其低导通电阻可有效降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件采用 TSMT6 小型表面贴装封装，适合自动化装配工艺，并具有良好的散热性能。此外，其栅极驱动电压范围较宽，支持在低电压应用中稳定工作，如电池供电设备和便携式电子产品中的电源管理模块。该 MOSFET 还具备良好的热稳定性，能够在较高温度环境下保持可靠运行。
LTL2T3TGKS6 主要用于 DC-DC 转换器、同步整流、负载开关、电机驱动电路以及便携式电子设备中的电源管理模块。其高频响应和低导通电阻使其非常适合用于需要高效能和紧凑设计的电源系统。例如，在移动设备的电池充电电路中，它可以作为主开关元件，实现高效能的充放电控制。此外，它也可用于 LED 驱动电路、小型逆变器以及工业控制设备中的功率开关应用。
Si2302DS, BSS138K, 2N7002K, FDMS3602
