晶体管类型：NPN
　　封装类型：SOT-23
　　最大集电极电流：100 mA
　　最大集电极-发射极电压：30 V
　　最大集电极-基极电压：50 V
　　最大基极电流：20 mA
　　最大功耗：300 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　频率特性：适用于高频操作
　　电流增益（hFE）：根据工作条件变化，典型值为110至800
　　过渡频率：250 MHz（最小值）

LTL2T3TBK2具备一系列高性能特性，使其适用于各种高频和低功率应用。首先，该晶体管具有高频过渡频率（fT）的特性，其最小值达到250 MHz，这意味着它能够在较高的频率下有效工作，非常适合用于射频放大器和高速开关电路。其次，它的电流增益（hFE）范围较宽，根据工作电流和配置的不同，hFE值可在110至800之间变化，这使得它在放大和开关应用中都具有良好的灵活性和适应性。
　　此外，LTL2T3TBK2采用SOT-23封装，这种小型封装不仅节省空间，而且便于在印刷电路板（PCB）上安装和布局。SOT-23封装还提供了良好的热性能，在额定功耗下能够有效地散热，确保晶体管在连续工作时的稳定性。
　　该晶体管的最大集电极电流为100 mA，最大集电极-发射极电压为30 V，最大集电极-基极电压为50 V，这使得它在中等电压和电流条件下具有出色的耐受能力，适用于多种电子设计场景。LTL2T3TBK2的工作温度范围为-55°C至150°C，表明其能够在极端温度环境下可靠运行，适用于工业级和汽车电子等对环境要求较高的应用。
　　该晶体管的低饱和压降（VCE(sat)）特性有助于减少功率损耗，提高电路效率，这对于电池供电设备或低功耗设计尤为重要。此外，LTL2T3TBK2的开关速度快，能够支持高速信号处理和数据传输应用。

LTL2T3TBK2广泛应用于高频放大器、射频电路、振荡器、信号切换电路、音频放大器、逻辑电平转换器以及数字开关电路。在无线通信系统中，它可用于前置放大器或射频混频器，提供良好的高频响应。在消费类电子产品中，该晶体管可以用于音频放大或LED驱动电路。在工业控制和自动化系统中，LTL2T3TBK2可用于传感器信号调理或驱动继电器和LED显示屏等负载。

PMBT2369, BCW66