类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：3.0A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：30V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为0.25Ω（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：SOT-723

LTL2R3VHKNT的主要特性之一是其低导通电阻，有助于降低功率损耗并提高整体系统效率。在高电流负载条件下，这种特性尤为重要。
　　该MOSFET采用SOT-723封装，体积小巧，适用于空间受限的便携式设备设计。同时，该封装具备良好的散热性能，能够在高功率操作下维持较低的温升。
　　LTL2R3VHKNT还具备良好的热稳定性和过载保护能力，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行，延长设备的使用寿命。
　　此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持从+4.5V到+10V的VGS操作，使其能够兼容多种控制电路和驱动器。

LTL2R3VHKNT广泛应用于多种电子设备和系统中，尤其是在需要高效功率管理的场合。例如，在便携式电子产品中，该MOSFET可用于电池供电系统的负载开关控制，以减少待机功耗并提高能效。
　　在DC-DC转换器中，LTL2R3VHKNT可作为同步整流器使用，提升转换效率，减小系统发热。
　　此外，该器件还适用于工业控制系统中的电机驱动、电源分配单元（PDU）以及各种类型的电源管理模块。
　　由于其优异的电气特性和热稳定性，LTL2R3VHKNT也常用于汽车电子系统，如车载充电器、车身控制模块和电池管理系统。

RTR020N03K, FDMS3610, Si2302DS