类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（Id）：30A
　　漏极-源极电压（Vds）：200V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：2.3mΩ（典型值）
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

LTL2R3VEK 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件的低 Rds(on) 使得在大电流应用中也能保持较低的温升，从而提高系统的可靠性和寿命。
　　另一个显著特点是其高耐压能力，漏极-源极电压最大额定值为 200V，适用于中高压功率转换应用，如 DC-DC 转换器、电机驱动器和电源管理系统。
　　此外，LTL2R3VEK 支持高达 ±20V 的栅极-源极电压，使其在栅极驱动设计中具有更高的灵活性。该器件的高功率耗散能力（100W）允许其在高负载条件下稳定运行。
　　在封装方面，LTL2R3VEK 使用 TO-252（DPAK）封装，这是一种小型表面贴装封装，具有良好的热管理性能。这种封装形式非常适合高密度 PCB 设计，同时便于自动化生产和散热设计。

LTL2R3VEK 主要应用于各类功率电子设备中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率开关部分。
　　由于其高耐压和低导通电阻特性，LTL2R3VEK 非常适合用于电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的功率管理模块，如车载充电器（OBC）和 DC-AC 逆变器。
　　在消费类电子产品中，该器件可用于高性能电源适配器、LED 照明驱动器以及智能家电中的功率控制电路。
　　此外，LTL2R3VEK 还广泛用于工业控制和自动化系统中，作为高效率功率开关使用，例如伺服电机驱动器、工业变频器以及不间断电源（UPS）系统。

SiHF20N200FKS、IRF2907Z、IXFH24N20T、STP30NF20