类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：-20V
　　栅源电压(Vgs)：±8V
　　连续漏极电流(Id)：-3A
　　导通电阻(Rds(on))：105mΩ @ Vgs = -4.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOP-8

LTL2P3UEK具有较低的导通电阻（Rds(on)），在-4.5V的栅源电压下仅为105mΩ，这使得该器件在导通状态下能够有效降低功率损耗，提高系统效率。
　　此外，该器件支持高达-3A的连续漏极电流，适用于中等功率的电源管理应用。
　　LTL2P3UEK采用SOP-8封装，体积小巧，便于在PCB上布局，同时具备良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　该MOSFET器件的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，适应性强，适合在各种环境条件下使用。
　　LTL2P3UEK还具备良好的抗静电能力，能够承受高达±2kV的ESD（静电放电）电压，增强了器件在复杂电磁环境中的可靠性。
　　其栅极驱动电压范围为±8V，兼容常见的逻辑电平驱动电路，便于与微控制器或其他数字控制器件配合使用。

LTL2P3UEK广泛应用于各类电子设备中的电源管理系统，特别是在需要高效能和小尺寸设计的场合。其典型应用包括DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动电路以及工业自动化控制系统。
　　在消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中，LTL2P3UEK可用于电源管理模块，实现对电池充放电过程的精确控制。
　　在工业领域，该器件可用于可编程逻辑控制器（PLC）、传感器模块和电机控制电路，提供稳定可靠的开关控制功能。
　　由于其具备良好的热稳定性和抗静电能力，LTL2P3UEK也适用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统（IVI）、电动助力转向系统（EPS）等，确保在严苛的汽车环境中稳定运行。
　　此外，LTL2P3UEK还可用于LED照明驱动电路，提供高效的电流控制，延长LED灯具的使用寿命。

Si2301DS, FDN337P, AO3401A