时间：2025/7/4 4:32:27
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HH18N100F101CT 是一款高性能的 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等电力电子领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，能够在高频条件下实现高效的功率转换。
HH18N100F101CT 采用 TO-220 封装形式，适用于需要较高电流承载能力和良好散热性能的应用场景。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：18A
导通电阻：15mΩ
栅极阈值电压：2.5V~4.5V
总功耗：160W
工作温度范围：-55℃~+150℃
HH18N100F101CT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可减少传导损耗并提升效率。
2. 快速开关特性，有助于降低开关损耗并支持高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 内置保护二极管，有效防止反向电流冲击。
5. 热阻较低，改善了散热性能，提升了器件的工作稳定性。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保设计。
HH18N100F101CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 各类 DC-DC 转换器中的同步整流功能。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
6. LED 驱动器中的恒流控制模块。
IRFZ44N, STP18NF50, FQP18N10
