时间：2025/9/5 14:41:36
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LTL2H3VYKL13是一款由ROHM Semiconductor生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性，适用于各种高效率电力电子设备的设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：20V
连续漏极电流（ID）：80A
功耗（PD）：130W
工作温度范围：-55°C至150°C
导通电阻（RDS(on)）：5.5mΩ（典型值）
封装类型：TO-263（表面贴装）
LTL2H3VYKL13具有出色的导通性能和开关特性，其低导通电阻显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该MOSFET具有高电流承载能力和良好的热管理性能，确保在高负载条件下仍能稳定运行。该器件还具备较高的抗过载能力和优秀的短路耐受性，适用于要求严苛的工业和汽车应用。采用表面贴装封装形式，有助于简化PCB布局并提高装配效率。
在设计方面，LTL2H3VYKL13优化了栅极驱动特性，使其在高频开关应用中表现优异，适用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理单元和电池供电设备。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅封装，符合现代电子产品的环保要求。
LTL2H3VYKL13广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于：
? 高效率DC-DC转换器
? 电池管理系统（BMS）
? 电机驱动器和控制器
? 电源管理系统（PSU）
? 工业自动化设备
? 电动工具和电池供电设备
? 汽车电子系统（如车载充电器和电源分配模块）
由于其优异的电气特性和热管理性能，该MOSFET特别适用于高功率密度和高可靠性要求的应用场景。
SiHH80N30EF、FDMS86180、IPB036N04LA、NTMFS4C10AN
