V7R0D0402C0G500NBT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于高频开关应用。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。
其封装形式为 NBT,适用于表面贴装技术(SMT),能够有效提升电路板空间利用率并降低整体系统成本。
型号:V7R0D0402C0G500NBT
类型:N沟道功率MOSFET
电压等级:40V
持续电流:20A
导通电阻:2mΩ
栅极电荷:50nC
最大功耗:10W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
V7R0D0402C0G500NBT 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(2mΩ),可减少功率损耗并提高效率。
2. 快速开关性能,支持高频操作,适合现代高效能设计需求。
3. 高度可靠的热稳定性,能够在极端温度条件下正常运行。
4. 小型化封装(NBT),便于在高密度 PCB 上使用。
5. 符合 RoHS 标准,环保且无铅设计。
6. 内置静电防护功能,增强产品可靠性。
这款功率 MOSFET 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. 电动工具及小型家电中的电机控制。
3. 汽车电子系统中的负载切换。
4. DC-DC 转换器中的高频开关元件。
5. LED 照明驱动电路中的功率调节。
6. 工业自动化设备中的功率管理模块。
V7R0D0402C0G500NBA, V7R0D0402C0G500NBC