时间：2025/9/5 21:54:15
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LTL2F7JRDNN是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换和管理应用。这款MOSFET具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等应用。其封装形式为SOP（小外形封装），便于表面贴装，适合自动化生产流程。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：80A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：4.3mΩ（最大值，VGS=10V）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOP（表面贴装）
LTL2F7JRDNN具备出色的导通性能和较低的开关损耗，这使得它在高频率功率转换应用中表现出色。该器件的低导通电阻可以有效减少功率损耗，提高系统效率。此外，它还具有高电流承载能力和良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其SOP封装设计有助于提高PCB空间利用率，同时具备良好的散热性能。LTL2F7JRDNN还采用了ROHM先进的沟槽栅极结构技术，进一步提升了器件的电气性能和可靠性。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性，使其在极端工作条件下仍能保持稳定运行。此外，ROHM在该器件的设计中融入了高耐久性的栅极氧化层技术，使其在长期使用过程中具有更高的稳定性和可靠性。
LTL2F7JRDNN广泛应用于各类高功率电子设备中，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统等。其高效率和高可靠性的特点使其特别适合用于电源管理和节能型电子产品中。在新能源汽车、光伏逆变器、服务器电源和工业电源系统中也有广泛的应用场景。
SiHF80N30EF-GE3
FDMS80N30A
IPW90R045C3
TKA80N30W
