时间：2025/9/5 22:17:37
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LTL2F7JETNN 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，采用表面贴装封装形式，适用于高效率、小型化电源系统的设计。该器件具有低导通电阻和高开关性能，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等应用场合。
类型：MOSFET（N沟道）
漏源电压（VDS）：20V
漏极电流（ID）：4.7A（连续）
导通电阻（RDS(on)）：18mΩ（典型值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：1.5V ~ 2.8V
封装形式：SOT-23
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
LTL2F7JETNN 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，具有较低的导通电阻，能够有效减少功率损耗，提高系统效率。该器件的栅极驱动电压范围适中，适用于多种电压控制应用场景。其 SOT-23 封装形式使得器件在 PCB 上占用空间较小，非常适合高密度电路设计。此外，LTL2F7JETNN 具有较高的热稳定性，能够在高负载条件下稳定工作，提高了系统的可靠性。
在开关性能方面，LTL2F7JETNN 的开关速度较快，能够满足高频开关应用的需求，有助于减小外围电感和电容元件的尺寸，从而实现更紧凑的电源设计方案。该器件还具备良好的抗过载和短路能力，可在一定程度上保护电路免受异常工况的损害。由于其优异的性能指标，LTL2F7JETNN 被广泛应用于便携式电子设备、电源管理模块、电机驱动器和工业自动化设备中。
LTL2F7JETNN 常用于 DC-DC 转换器、负载开关、同步整流器、电池管理系统以及便携式设备的电源控制电路中。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效率电源设计的理想选择。
Si2302DS、2N7002、FDV301N、DMN6024LDV、FDMC6101
