时间：2025/7/26 10:31:12
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IS61LPS51218A-200TQLI 是一款由 ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产的高速、低功耗的静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片具有512K x 18位的存储容量，适用于需要高性能和低功耗的嵌入式系统、网络设备、工业控制设备以及通信设备。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，具有较高的可靠性和稳定性。IS61LPS51218A-200TQLI采用165引脚TQFP封装，适合高密度PCB设计。
容量：512K x 18位
电源电压：2.3V 至 3.6V
最大访问时间：200MHz
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：165-TQFP
数据宽度：18位
功耗（典型值）：待机模式下电流低至10mA
访问时间：5.5ns
时钟频率：166MHz
输入/输出电平：兼容LVCMOS
IS61LPS51218A-200TQLI 具有多个显著特性，使其适用于高性能存储应用。首先，该芯片的高速访问时间（5.5ns）和高达166MHz的时钟频率，使其能够在高频应用中提供稳定的数据存取性能。其次，该SRAM芯片采用低功耗CMOS工艺，在待机模式下功耗极低，非常适合电池供电或节能型系统使用。
此外，该芯片具有宽电压工作范围（2.3V至3.6V），使其适用于多种电源配置，并提高了系统设计的灵活性。IS61LPS51218A-200TQLI支持异步和同步操作模式，能够适应不同的系统架构需求。在工业温度范围（-40°C至+85°C）内稳定运行，适用于工业控制、自动化设备和户外通信设备等严苛环境下的应用。
该SRAM芯片还具备自动低功耗待机模式，当芯片未被访问时自动进入低功耗状态，进一步降低系统整体功耗。封装形式为165-TQFP，适用于高密度PCB布局，同时具备良好的散热性能。
IS61LPS51218A-200TQLI 主要应用于需要高速缓存、数据缓冲和临时存储的高性能系统中。典型应用包括网络交换机和路由器的缓存存储器、工业控制系统的数据缓冲、通信设备的临时数据存储、测试设备和测量仪器的高速数据处理模块，以及嵌入式系统的高速缓存解决方案。该芯片的宽电压和工业级温度范围也使其适用于恶劣环境下的长期稳定运行。
IS61LPS51218A-200TQI, IS61LPS51218B-200TQLI, CY7C1512KV18-200BZC, IDT71V418S200PGI
