晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：50 V
　　最大集电极-基极电压（Vcbo）：50 V
　　最大功耗（Pd）：150 mW
　　最大工作温度：150°C
　　封装类型：SOT-23（SC-59）
　　增益（hFE）：110 ~ 800（取决于测试条件）
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　安装类型：表面贴装

LTL2F7JDTNN 晶体管具备优异的高频性能和稳定的增益特性，适用于多种通用放大和开关场合。其NPN结构允许在较低的基极电流下控制较大的集电极电流，适合用于低功耗设计。
　　该器件的 hFE（电流增益）范围宽广，从110到800不等，具体值取决于工作电流和温度条件，这使得它能够适应不同的电路设计需求。此外，其过渡频率（fT）达到100 MHz，意味着在中高频信号放大电路中也能表现出良好的性能。
　　LTL2F7JDTNN 采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，并具备良好的热稳定性。其最大集电极电流为100 mA，集电极-发射极击穿电压为50 V，适用于大多数低功率应用场景。
　　该晶体管的工作温度范围较宽，可在-55°C至+150°C之间正常工作，适用于工业和汽车电子中的严苛环境条件。

LTL2F7JDTNN 主要用于低功率开关电路、信号放大器、逻辑电路接口、驱动LED和继电器、电源管理模块以及各种便携式电子设备中的控制电路。在消费类电子产品中，如手机、耳机放大器、蓝牙模块等，常用于信号处理和开关控制。
　　在工业自动化系统中，该晶体管可用于传感器信号放大、继电器驱动和PLC（可编程逻辑控制器）中的数字开关应用。在汽车电子中，它适用于车身控制模块、仪表盘显示驱动和车载娱乐系统的信号处理单元。
　　由于其高频性能良好，LTL2F7JDTNN 还可用于射频前端电路中的低噪声放大器、振荡器和混频器等应用。

BC847 NPN, 2N3904, MMBT3904, PN2222A, KSC1845