LTL2F7JDDNN 是一款由 ON Semiconductor 生产的双极型晶体管(BJT),主要用于需要高频率和高性能的电子电路中。这款晶体管具有优异的开关性能和增益特性,适合应用于放大器、开关电路以及各种模拟和数字电路设计中。
类型:NPN 双极型晶体管
最大集电极电流:100mA
最大集电极-发射极电压:30V
最大基极-发射极电压:5V
最大功耗:300mW
增益带宽积:250MHz
电流增益(hFE):110-800(根据等级不同)
封装类型:SOT-23
LTL2F7JDDNN 具有高增益和高频率响应的特性,这使得它在射频(RF)应用和高速开关电路中表现出色。其低饱和电压和快速开关能力也使其在低功耗设计中非常受欢迎。此外,该晶体管的增益值范围较宽,允许设计者根据具体需求选择合适的等级。由于其 SOT-23 小型封装,该晶体管非常适合用于空间受限的 PCB 设计中。晶体管的可靠性高,能够在各种工作环境下稳定运行。
LTL2F7JDDNN 主要应用于射频放大器、高速开关电路、音频放大器、逻辑电路以及各种通用放大和开关应用。由于其高频特性,该晶体管常用于通信设备、消费电子产品、工业控制设备以及汽车电子系统中。
2N3904, BC547, PN2222