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GA1210A102FBCAR31G 发布时间 时间:2025/5/30 22:18:01 查看 阅读:9

GA1210A102FBCAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,能够有效降低功耗并提高系统性能。
  该芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET,支持高频开关应用,适合要求高可靠性和高效能的设计场景。

参数

类型:N沟道增强型 MOSFET
  额定电压:100V
  额定电流:12A
  导通电阻:9mΩ(最大值,典型值为7mΩ)
  栅极电荷:18nC(最大值)
  开关速度:快速开关
  封装形式:TO-220
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

GA1210A102FBCAR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够显著减少传导损耗,提升整体效率。
  2. 高速开关能力,适用于高频开关电源及 DC-DC 转换器设计。
  3. 优化的栅极电荷设计,降低了驱动损耗。
  4. 具备出色的热稳定性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内保持性能。
  5. 封装形式坚固耐用,便于散热管理,适合大功率应用场景。
  6. 符合 RoHS 标准,绿色环保,适合现代电子设备需求。

应用

该元器件的主要应用领域包括:
  1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC 转换器中的功率开关。
  3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 电池管理系统 (BMS) 中的保护电路。
  6. 各类需要高效功率转换的应用场景。

替代型号

IRFZ44N
  FDP15N10
  STP12NK06Z

GA1210A102FBCAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1000 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-