GA1210A102FBCAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,能够有效降低功耗并提高系统性能。
该芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET,支持高频开关应用,适合要求高可靠性和高效能的设计场景。
类型:N沟道增强型 MOSFET
额定电压:100V
额定电流:12A
导通电阻:9mΩ(最大值,典型值为7mΩ)
栅极电荷:18nC(最大值)
开关速度:快速开关
封装形式:TO-220
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
GA1210A102FBCAR31G 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够显著减少传导损耗,提升整体效率。
2. 高速开关能力,适用于高频开关电源及 DC-DC 转换器设计。
3. 优化的栅极电荷设计,降低了驱动损耗。
4. 具备出色的热稳定性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内保持性能。
5. 封装形式坚固耐用,便于散热管理,适合大功率应用场景。
6. 符合 RoHS 标准,绿色环保,适合现代电子设备需求。
该元器件的主要应用领域包括:
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电池管理系统 (BMS) 中的保护电路。
6. 各类需要高效功率转换的应用场景。
IRFZ44N
FDP15N10
STP12NK06Z