类型：双NPN晶体管阵列
　　集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功率耗散（Pd）：200mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）

LTL201的核心特性之一是其集成两个NPN晶体管在一个芯片上，使得电路设计更加紧凑并减少了元件数量。每个晶体管都具有良好的电流增益性能，适用于信号放大和开关应用。该芯片的高频率响应（fT达100MHz）使其适用于中高频电路设计，例如射频信号处理和高速开关应用。LTL201还具有良好的热稳定性和可靠性，能够在恶劣的环境条件下工作。此外，该器件采用环保材料制造，符合RoHS标准，适合现代电子设备的绿色制造要求。
　　在电气特性方面，LTL201的基极-发射极电压（Vbe）典型值为0.7V，集电极-发射极饱和电压（Vce_sat）在额定电流下约为0.2V，这意味着它在导通状态下具有较低的功耗。同时，每个晶体管的集电极可以独立使用，也可以并联使用以提高电流承载能力。这种灵活性使得LTL201适用于多种应用场景，包括LED驱动、继电器控制和传感器信号调理等。

LTL201常用于需要多个晶体管协同工作的电子系统中。其典型应用包括数字逻辑电路的电平转换、继电器和电机的驱动控制、LED背光和指示灯的开关控制等。在工业自动化系统中，LTL201可用于控制小型继电器或执行器，实现自动化控制功能。此外，在消费电子产品中，如电视、音响和遥控器中，LTL201也常用于信号放大和接口电路设计。由于其高频特性，LTL201也可用于射频放大器的前置级或中频放大电路。在汽车电子领域，LTL201可用于车灯控制、传感器信号处理以及车载娱乐系统的音频放大电路。

LTL201的替代型号包括LTL200、LTL202、ULN2003、ULN2004