时间：2025/9/14 7:02:59
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BUK9M11-40EX是一款由Nexperia（安世半导体）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场景。该器件采用先进的Trench肖特基技术，具有低导通电阻、高可靠性和优异的热性能，适用于高效率和高功率密度的设计需求。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：40V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：11A（在25°C）
导通电阻(RDS(on))：最大11.5mΩ（在VGS=10V）
封装类型：TO-223
工作温度范围：-55°C至175°C
BUK9M11-40EX的主要特性包括低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件采用Trench肖特基技术，使得MOSFET在导通状态下具有更低的电压降，同时降低开关损耗。其TO-223封装提供良好的散热性能，适合在高电流条件下运行。此外，该MOSFET具有较高的雪崩能量耐受能力，确保在高应力工作环境中的稳定性和可靠性。
栅极驱动特性方面，BUK9M11-40EX支持逻辑电平驱动，可在4.5V至20V的栅极电压范围内正常工作，使其适用于多种控制电路，包括由微控制器直接驱动的应用。器件内部的栅极氧化层设计增强了抗静电能力，减少因静电放电（ESD）导致的损坏风险。
该MOSFET还具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的导通和关断性能。其封装材料符合RoHS标准，适用于环保型电子产品设计。
BUK9M11-40EX适用于多种功率电子系统，如同步整流DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器、电源负载开关、LED照明驱动电路以及工业自动化控制设备。由于其低导通电阻和优异的热管理性能，它特别适合用于需要高效能和紧凑设计的便携式设备和高功率密度电源模块。
BUK9M11-40EX的替代型号包括BUK9M12-40EX、BUK9M10-40EX、IRL3803、Si4410DY、FDMS86101
