时间：2025/9/6 3:56:01
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LTL1NHKGD 是一款由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高频率开关应用设计，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等多种场景。LTL1NHKGD 采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)），同时具备良好的热性能和可靠性。该器件采用紧凑的表面贴装封装（如 PowerPAK? 1212-8），便于在高密度 PCB 设计中使用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：6.5A
导通电阻 Rds(on)：最大 18mΩ（在 Vgs=10V）
栅极电荷（Qg）：12nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：PowerPAK 1212-8
功率耗散（Pd）：4.0W
LTL1NHKGD 具备多项优异特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，尤其适用于高电流负载场景。其次，该器件采用先进的沟槽技术，提供了良好的开关性能，适用于高频开关应用，如同步整流和DC-DC转换器。
此外，LTL1NHKGD 的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提高整体能效。其±20V的栅源电压耐受能力增强了器件在复杂电气环境中的稳定性，降低了因栅极过压导致失效的风险。
该器件的封装形式为 PowerPAK 1212-8，是一种表面贴装封装，具有良好的散热性能，并且适合自动化装配工艺，适用于现代高密度 PCB 设计。此外，其宽工作温度范围（-55°C 至 150°C）使其能够在严苛的工业和汽车环境中稳定运行。
值得一提的是，LTL1NHKGD 内部设计优化了雪崩能量耐受能力，提升了在高能瞬态条件下的可靠性，适用于可能出现高电压尖峰的应用场合。
LTL1NHKGD 主要应用于各类功率转换和管理电路中，特别是在需要高效、高频开关性能的场合。常见的应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电源分配系统、电机驱动电路以及工业和汽车电子系统中的功率控制模块。
例如，在同步降压转换器中，LTL1NHKGD 可作为高边或低边开关使用，因其低 Rds(on) 和快速开关特性，有助于提升转换效率并减小整体尺寸。在电池管理系统中，该器件可用于电池充放电控制，提供可靠的高电流开关能力。此外，LTL1NHKGD 也可用于负载开关电路，实现对系统中不同模块的电源管理，帮助降低待机功耗并提高系统效率。
由于其良好的热性能和封装设计，LTL1NHKGD 也适用于空间受限但需要高效散热的应用场景，如嵌入式系统、便携式设备和工业自动化设备中的电源管理模块。
SiR142DP-T1-GE3, FDS6680, IRF7413PbF, BSC010N04LS G
