LTL1CHTGK 时间：2025/9/5 18:12:18 阅读：19

LTL1CHTGK是一款由ONSEMI（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的功率转换应用，具有较低的导通电阻和优异的热性能，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及其他功率控制电路。该MOSFET采用先进的平面技术，具有良好的稳定性和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：1.1A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值1.8Ω（在VGS=10V时）
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值1.5V（范围1V~2.5V）
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TSOP

特性

LTL1CHTGK具有多项优异的电气和热性能。其低导通电阻确保在导通状态下损耗最小，从而提高整体系统的效率。此外，该器件具有快速开关能力，适用于高频应用，如开关电源（SMPS）和DC-DC转换器。其TSOP封装设计有助于良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能稳定工作。LTL1CHTGK的栅极驱动电压范围宽，适用于多种控制电路设计，包括由低压微控制器直接驱动的场景。其稳定的阈值电压确保在不同工作条件下都能实现可靠的导通和截止控制，减少误触发的可能性。此外，该MOSFET具有较高的耐用性和长期稳定性，适合用于工业和汽车电子系统。