LTL1CHKYK 是由 ROHM(罗姆)公司生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高效率电源转换应用。该器件采用紧凑型封装设计,适合用于开关电源、DC-DC 转换器以及负载开关等场景。LTL1CHKYK 具备低导通电阻、高耐压和高电流容量等优点,能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(VDS):30V
最大栅源电压(VGS):20V
最大漏极电流(ID):80A
导通电阻(RDS(on)):5.3mΩ(典型值,@VGS=10V)
栅极电荷(Qg):45nC(典型值)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:PowerSSO-24(表面贴装)
LTL1CHKYK 的主要特性之一是其极低的导通电阻,这有助于降低导通损耗并提高整体效率。该器件的高电流容量(80A)使其适用于高功率密度的设计,例如服务器电源、电动工具和电池管理系统。
此外,LTL1CHKYK 采用了 ROHM 独有的功率封装技术(PowerSSO-24),具备良好的热管理性能,能够在高负载条件下保持稳定运行。该封装还提供了优异的散热能力,有助于延长器件寿命并提升系统可靠性。
该 MOSFET 还具有较低的栅极电荷(Qg),这有助于减少开关损耗,提高在高频开关应用中的性能。LTL1CHKYK 支持高达 20V 的栅源电压,允许使用标准的驱动电路进行控制,简化了设计流程。
该器件的宽工作温度范围(-55°C 至 +150°C)使其适用于各种严苛环境下的应用,包括汽车电子、工业自动化和通信设备。
LTL1CHKYK 主要应用于需要高效率和高功率密度的电源系统中。典型的应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制电路、电池管理系统(BMS)以及服务器和电信设备的电源模块。
由于其高电流能力和低导通电阻,LTL1CHKYK 特别适合用于高功率同步整流器中,以提高转换效率并减少热量产生。在 DC-DC 转换器中,该器件可用于升压(Boost)或降压(Buck)拓扑结构,提供稳定可靠的功率开关性能。
在电机控制和电动工具中,LTL1CHKYK 可用于 H 桥结构中的功率开关,实现高效能的电机驱动。此外,在电池管理系统中,该 MOSFET 可用于充放电控制,确保电池组的安全和高效运行。
由于其封装设计具有良好的散热能力,LTL1CHKYK 也适用于需要长时间高负载运行的工业和汽车应用。
SiR862DP-T1-GE, IPPB90N03LG, FDS8873