HH21N101J500CT是一款高性能的N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于功率转换、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用先进的半导体工艺制造,具备低导通电阻和高开关速度的特点,适用于需要高效能和稳定性能的电路设计。
该型号的MOSFET在各种电子系统中表现出色,包括但不限于工业控制设备、消费类电子产品以及通信电源领域。其卓越的电气特性和可靠性使其成为工程师设计中的理想选择。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:5A
导通电阻:45mΩ
栅极电荷:30nC
开关时间:ton=15ns, toff=12ns
工作温度范围:-55℃至+150℃
HH21N101J500CT具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,在满载条件下能够有效减少功率损耗。
2. 高速开关能力,支持高频应用场合。
3. 内置反向恢复二极管,提升效率并降低EMI干扰。
4. 良好的热稳定性,确保长时间运行时的可靠性。
5. 小型化封装设计,节省PCB空间同时提高布局灵活性。
6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
这款MOSFET适合多种应用场景,例如:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC转换器的核心开关元件。
3. 电机控制电路中的驱动级开关。
4. 各种负载开关和保护电路。
5. 电池管理系统(BMS)中的充放电路径管理。
6. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输。
IRFZ44N, FQP50N06L, AO3400