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HH21N101J500CT 发布时间 时间:2025/7/18 12:31:15 查看 阅读:4

HH21N101J500CT是一款高性能的N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于功率转换、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用先进的半导体工艺制造,具备低导通电阻和高开关速度的特点,适用于需要高效能和稳定性能的电路设计。
  该型号的MOSFET在各种电子系统中表现出色,包括但不限于工业控制设备、消费类电子产品以及通信电源领域。其卓越的电气特性和可靠性使其成为工程师设计中的理想选择。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:5A
  导通电阻:45mΩ
  栅极电荷:30nC
  开关时间:ton=15ns, toff=12ns
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

HH21N101J500CT具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,在满载条件下能够有效减少功率损耗。
  2. 高速开关能力,支持高频应用场合。
  3. 内置反向恢复二极管,提升效率并降低EMI干扰。
  4. 良好的热稳定性,确保长时间运行时的可靠性。
  5. 小型化封装设计,节省PCB空间同时提高布局灵活性。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

这款MOSFET适合多种应用场景,例如:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC转换器的核心开关元件。
  3. 电机控制电路中的驱动级开关。
  4. 各种负载开关和保护电路。
  5. 电池管理系统(BMS)中的充放电路径管理。
  6. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输。

替代型号

IRFZ44N, FQP50N06L, AO3400

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HH21N101J500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.07572卷带(TR)
  • 系列HH
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容100 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.035"(0.90mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-