类型：N沟道JFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：-25V
　　漏极电流（Id）：100mA
　　跨导（Gm）：1000μS至3000μS（典型值2000μS）
　　输入电容（Ciss）：7pF（典型值）
　　输出电容（Coss）：4pF（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-92

JFG105N100L-1.0 的主要特性之一是其极低的噪声系数，通常在0.5dB以下，这使其成为射频前端放大器和高灵敏度信号处理电路的理想选择。此外，该器件具有优异的线性度，能够在宽频率范围内保持信号的完整性，从而减少失真并提高系统性能。
　　另一个显著的特性是其高跨导（Gm），这使得JFG105N100L-1.0在低电压应用中也能提供良好的增益和响应速度。高跨导还意味着在放大电路中可以实现更高的效率和更低的功耗，这对于电池供电设备尤为重要。
　　此外，该晶体管具有良好的温度稳定性，能够在宽温度范围内保持一致的性能表现。这种稳定性对于在极端环境条件下工作的设备来说至关重要，如工业控制系统、航空航天设备和汽车电子系统。
　　最后，JFG105N100L-1.0采用TO-92封装，具有较小的尺寸和良好的散热性能，便于在紧凑的电路板布局中使用。同时，该封装也提供了足够的机械强度，以确保器件在运输和安装过程中的可靠性。

JFG105N100L-1.0 主要应用于射频（RF）放大器、音频前置放大器、混频器和振荡器电路中。由于其低噪声和高线性度特性，该器件常用于通信系统中的信号接收前端，如无线电接收器、无线传感器网络和微波通信设备。
　　此外，JFG105N100L-1.0也广泛用于音频设备中，如高保真音响系统、麦克风前置放大器和吉他效果器等。在这些应用中，该晶体管能够提供清晰的声音信号放大，减少失真并提高音质。
　　在工业和测量设备中，JFG105N100L-1.0常用于精密信号调理电路，如数据采集系统、传感器接口和测试仪器。其低噪声和高稳定性特性确保了测量结果的准确性。
　　最后，该晶体管还可用于电源管理电路、低功耗传感器节点和便携式电子产品，如手持式通信设备和穿戴式电子设备。在这些应用中，其低功耗和高效率特性有助于延长电池寿命并提高设备的整体性能。

BF245C, 2N5484, J310, J113