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LTF3216BU-F2R3B 发布时间 时间:2025/12/5 21:08:47 查看 阅读:31

LTF3216BU-F2R3B是一款由LTK(Litech)公司生产的高性能、低功耗的射频前端模块(RF Front-End Module, FEM),专为无线通信应用设计,尤其适用于工作在Sub-GHz频段的物联网(IoT)、智能家居、远程控制、无线传感器网络等系统。该器件集成了功率放大器(PA)、低噪声放大器(LNA)以及射频开关功能,支持收发双工操作,能够在单天线架构下实现高效的信号发射与接收切换,从而简化系统设计并减小PCB占用面积。LTF3216BU-F2R3B采用先进的半导体工艺制造,封装尺寸小巧(典型为3.2mm x 1.6mm),适合对空间要求严苛的便携式设备。其工作电压范围宽,通常支持1.8V至3.6V供电,便于与各类微控制器和无线SoC直接对接。该模块优化了输出功率和接收灵敏度之间的平衡,在发射模式下可提供高达+27dBm的饱和输出功率,同时具备良好的增益控制能力和线性度表现;在接收路径中,LNA部分具有低噪声系数(典型值低于1.5dB)和高增益(约14dB),显著提升了系统的链路预算和通信距离。此外,该芯片内置过温保护和电压箝位电路,增强了在复杂电磁环境下的稳定性和可靠性。

参数

型号:LTF3216BU-F2R3B
  制造商:Litech (LTK)
  封装类型:DFN-10 (3.2mm x 1.6mm)
  工作频率范围:433MHz ~ 470MHz
  供电电压:1.8V ~ 3.6V
  发射输出功率:最大 +27dBm
  接收增益(LNA):典型 14dB
  噪声系数(LNA):典型 1.5dB
  输入/输出阻抗:50Ω 匹配
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  集成功能:PA、LNA、Tx/Rx Switch
  控制接口:CMOS 兼容使能信号
  谐波抑制:满足FCC/ETSI辐射标准

特性

LTF3216BU-F2R3B的核心优势在于其高度集成化的设计理念,将多个关键射频功能模块整合于单一芯片内,极大地降低了外围电路的复杂性。其内部的功率放大器经过精心优化,可在较低电流消耗下实现高效率的能量转换,典型PA电流为110mA @ +27dBm输出,电源效率超过40%,这对于电池供电的长期运行设备尤为重要。该模块支持数字逻辑电平控制,通过独立的TX_EN和RX_EN引脚实现发射与接收模式的快速切换,切换时间通常小于1μs,确保了数据传输的实时性与稳定性。在接收路径方面,低噪声放大器具备优异的抗干扰能力,能够有效抑制邻道干扰和带外杂散信号,提升整体系统的信噪比。芯片内部已集成输入输出匹配网络,用户无需额外进行复杂的阻抗匹配调试,大幅缩短产品开发周期。此外,该器件对静电放电(ESD)具有高达±2kV HBM的防护能力,提高了生产装配过程中的良率和现场使用的可靠性。所有有源电路均采用差分结构设计,有助于抑制共模噪声并提高隔离度,特别是在Tx-to-Rx端口间的隔离性能可达35dB以上,避免强发射信号对接收机造成阻塞或损坏。该模块还支持功率调节功能,可通过外部电阻或控制电压调整输出功率等级,适应不同通信距离和功耗需求的应用场景。
  LTF3216BU-F2R3B在设计时充分考虑了电磁兼容性(EMC)要求,其封装结构采用裸焊盘(exposed pad)散热设计,不仅增强了热传导性能,也有助于接地平面的完整性,进一步降低辐射干扰。该芯片符合RoHS环保标准,适用于无铅回流焊工艺,兼容自动化贴片生产线。由于其工作频段覆盖主流Sub-GHz ISM频段(如433MHz、470MHz),因此广泛应用于智能抄表(水表、气表、电表)、无线报警系统、工业遥控器、农业传感器网络等领域。厂商提供了完整的参考设计文档、匹配电路建议以及S参数模型,方便工程师进行仿真验证和PCB布局布线。测试结果表明,在典型应用场景下,配合高效天线设计,通信距离可轻松突破1公里(视距条件下),展现出卓越的射频性能。

应用

适用于Sub-GHz无线通信系统,包括物联网终端设备、智能家居控制系统、远程无线传感器网络、智能三表(水电气表)数据采集、工业自动化遥控装置、无线门禁与安防系统、农业环境监测节点以及低功耗广域网(LPWAN)接入模块等。

替代型号

AX5043, CC1101, SX1276

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