时间：2025/9/26 9:29:03
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LTE63C是一款由Littelfuse公司生产的表面贴装硅瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），主要用于保护敏感电子设备免受瞬态电压事件的损害，例如静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）以及雷击感应浪涌等。该器件采用高效的半导体技术设计，能够在极短时间内响应过压事件，并将瞬态能量钳位到安全水平，从而确保后级电路的安全运行。LTE63C属于单向TVS二极管，意味着其仅在一个方向上提供保护，通常用于直流电路中的正极或负极线路保护。其封装形式为SOD-123，这是一种小型化的表面贴装封装，具有良好的热性能和空间利用率，非常适合在高密度PCB布局中使用。由于其出色的可靠性与紧凑的设计，LTE63C广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备、通信接口以及便携式设备等领域，作为第一道防线来防止外部瞬态干扰对系统造成损坏。
类型：单向TVS二极管
封装/包装：SOD-123
击穿电压V_BR（min）：7.0V
击穿电压V_BR（max）：8.8V
反向关态电压V_RWM：6.3V
钳位电压V_C（Ipp时）：10.5V
峰值脉冲电流Ipp：38.1A
峰值脉冲功率Pppm：400W
漏电流IR（最大值）：5μA
工作结温范围T_J：-55°C ~ +150°C
引线长度：无引线（表面贴装）
安装类型：表面贴装（SMD）
LTE63C具备优异的瞬态电压抑制能力，能够在纳秒级时间内响应高达400W的峰值脉冲功率，有效吸收来自外部环境的各种瞬态能量，包括静电放电（ESD）、电感负载切换引起的电压尖峰以及电源线上的雷击感应浪涌等。其核心机制基于PN结雪崩击穿原理，在正常工作状态下呈现高阻抗状态，几乎不影响主电路的工作；当出现超过其反向截止电压（6.3V）的瞬态过压时，器件迅速进入低阻抗导通模式，将多余电流分流至地，同时将电压钳制在安全范围内（典型钳位电压为10.5V），从而保护下游集成电路不受高压冲击。
该器件采用SOD-123小尺寸封装，不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，适合自动化贴片生产流程，提升了制造效率和产品一致性。此外，LTE63C具有极低的漏电流（最大5μA），即使在高温环境下也能保持稳定的电气性能，避免因漏电导致的功耗增加或误动作。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其适用于各种严苛环境下的应用，如汽车电子、户外通信设备及工业控制系统。所有参数均经过严格测试并符合AEC-Q101等可靠性标准，确保长期使用的稳定性和耐用性。值得一提的是，该TVS二极管具备多次重复承受瞬态冲击的能力，不会因一次保护动作而失效，增强了系统的整体鲁棒性。
LTE63C常用于各类需要瞬态过压保护的电子系统中，特别是在接口电路、电源轨保护和信号线路防护方面表现突出。典型应用场景包括USB端口、HDMI接口、RS-232/RS-485通信线路、GPIO引脚、按键输入电路以及低压直流电源输入端等。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中，它被广泛用于防止用户接触带来的静电损伤。在工业领域，可用于PLC模块、传感器接口和继电器驱动电路中，抵御开关噪声和电磁干扰引发的电压突变。此外，在汽车电子系统中，尽管其额定功率适中，但仍可用于非关键性的低电压信号线路保护，配合其他保护器件形成多级防护体系。其小型化封装也使其成为便携式医疗设备、IoT节点和智能家居控制板的理想选择，既提供了可靠的保护功能，又不占用过多布板空间。
SMBJ6.3A\SMLC6.3A\P6KE6.8CA
