类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：100A
　　导通电阻（RDS(on)）：@VGS=10V时为3.5mΩ，@VGS=4.5V时为5.5mΩ
　　功率耗散（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

LTD6930HR采用了先进的沟槽型MOSFET工艺，具备极低的导通电阻（RDS(on)），显著降低了导通损耗，提高了系统效率。
　　该器件的高电流承载能力（最高可达100A）使其适用于大功率应用场景，如同步整流、电机驱动和电源转换器。
　　其栅极设计支持宽范围的栅极驱动电压（最高可达20V），增强了与不同驱动电路的兼容性，并有助于进一步降低导通电阻。
　　TO-252（DPAK）封装不仅提供了良好的散热性能，还支持表面贴装工艺，便于自动化生产与装配。
　　该MOSFET具有优异的热稳定性与可靠性，能够在高温环境下稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。
　　由于其低开关损耗和导通损耗，LTD6930HR特别适合用于高频率开关电源系统，如DC-DC降压/升压转换器、负载开关和电池管理系统。

LTD6930HR广泛应用于各类高功率密度电源系统中，包括但不限于：
　　1. 同步整流型DC-DC转换器，用于提高转换效率并减少发热；
　　2. 电池管理系统（BMS）中的高边或低边开关；
　　3. 电动工具、无人机和电动车中的电机驱动电路；
　　4. 工业控制设备中的电源开关和负载管理；
　　5. 服务器电源、通信电源及UPS不间断电源系统；
　　6. LED照明驱动电路中的功率开关元件。

SiSS1128N, Nexperia PSMN100-30YL, STMicroelectronics STP100N3LLZ