时间：2025/9/5 15:01:01
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LTD-4826G 是一款由Lonten Semiconductor（有时也称为Lonten或龙腾半导体）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于功率开关应用。该器件设计用于高效率、高频率的开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等应用。LTD-4826G采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够在较高的工作频率下保持良好的性能。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：100A（在25°C时）
导通电阻(Rds(on))：约2.6mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerPAK SO-8双封装（DFN5x6）
功率耗散(Pd)：3.5W（最大值）
最大工作频率：1MHz
技术：沟槽型MOSFET
LTD-4826G 的主要特性包括极低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提高效率。其先进的沟槽式结构提供了良好的热稳定性和高频响应，适用于高频率开关应用。该器件还具有良好的热阻特性，能够在高温环境下稳定工作。LTD-4826G 的封装设计（PowerPAK SO-8双封装）不仅体积小巧，还具备良好的散热性能，适用于紧凑型设计和高密度电源系统。此外，该器件具有较高的电流承载能力和较低的开关损耗，适用于需要高效能功率转换的场合。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持逻辑电平驱动，方便与多种控制器配合使用。同时，其低输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）有助于减少开关过程中的延迟和损耗，提高整体系统效率。
LTD-4826G 常用于高性能DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动、电池管理系统（BMS）、服务器电源、电信电源、电源管理模块以及各种高效率功率转换系统。由于其高频特性和低导通电阻，特别适用于需要高效能、高可靠性的电源设计场景。
Si9410BDY-T1-GE3, AO4406A, IRF7413, FDS4410A
