时间：2025/8/1 16:49:53
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HS4N60DA是一款N沟道增强型功率MOSFET，通常用于高功率开关应用。该器件由世界知名半导体制造商生产，具有低导通电阻、高击穿电压和大电流处理能力等优点。HS4N60DA的封装形式为TO-220，适用于多种工业和消费类电子设备，如电源适配器、电机驱动器和LED照明系统。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS)：600V
最大漏极电流(ID)：4A
导通电阻(RDS(on))：典型值为1.5Ω（最大值为2.0Ω）
栅极阈值电压(VGS(th))：2V至4V
最大功耗(PD)：50W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220
HS4N60DA具有多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其最大漏源电压为600V，能够承受较高的电压应力，适用于高压电源系统。其次，最大漏极电流为4A，具备良好的电流处理能力，适用于多种高功率需求的电路。该MOSFET的导通电阻较低，典型值为1.5Ω，有助于减少导通损耗，提高整体效率。此外，其栅极阈值电压范围为2V至4V，兼容常见的驱动电路设计，确保稳定的开关性能。HS4N60DA的最大功耗为50W，能够在较高负载下长时间稳定运行。工作温度范围为-55°C至+150°C，适应各种恶劣环境条件。TO-220封装形式不仅便于安装和散热，还增强了器件的机械强度和可靠性。
HS4N60DA广泛应用于多个领域，如开关电源、DC-DC转换器、逆变器和电机控制器等。在电源适配器中，HS4N60DA用于高效能的功率转换，提供稳定的输出电压。在电机驱动器中，该MOSFET可作为主开关器件，控制电机的启停和转速。此外，HS4N60DA还可用于LED照明系统中的恒流驱动电路，确保LED的稳定发光。工业自动化设备中，该器件可用于控制各种高功率负载，如加热元件和电磁阀。
IRF840, FQA4N60C, FQP4N60C
