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LTC4357HMS8#PBF 发布时间 时间:2025/6/4 21:02:53 查看 阅读:7

LTC4357是一款由Linear Technology(现为ADI公司的一部分)设计的高压理想二极管控制器,能够驱动一个N沟道MOSFET来替代肖特基二极管,从而实现更低的压降和更高的效率。它专为热插拔应用而设计,能够在输入电压范围从-0.3V到36V内工作,并且支持反向电池保护功能。
  LTC4357通过检测MOSFET的源极和漏极之间的电压差来控制栅极驱动信号,确保在正向电流流动时MOSFET完全导通,而在反向电流尝试流动时快速关断MOSFET。这种特性使其非常适合于需要高效电源路径管理的应用场景。

参数

输入电压范围:-0.3V至36V
  静态电流:12uA(典型值)
  最大栅极驱动电压:8V
  最小导通阈值电压:15mV
  最大反向漏电流:1uA
  工作温度范围:-40℃至125℃
  封装形式:8引脚MSOP

特性

LTC4357具有非常低的静态电流,适合电池供电系统。其独特的控制方式允许使用低成本的标准N沟道MOSFET来取代肖特基二极管,从而显著降低导通损耗。
  该器件内置了反向电池保护功能,在输入端出现反向电压时可以自动切断电流路径,避免损坏下游电路。此外,LTC4357还具备快速动态响应能力,即使面对快速变化的负载或输入条件也能稳定运行。
  由于其高压操作能力和紧凑的8引脚MSOP封装,LTC4357非常适合空间受限的高可靠性应用环境,例如汽车电子、工业设备和通信系统等。

应用

LTC4357广泛应用于各种需要高效电源管理和热插拔保护的场合。具体应用包括:
  1. 汽车电子系统中的电源通路管理
  2. 工业设备中的备用电池切换
  3. 通信系统中的冗余电源切换
  4. 笔记本电脑和其他便携式设备中的电池保护
  5. 高可靠性系统的反向电压保护
  其高效性和可靠性使得LTC4357成为众多设计中理想的二极管替代方案。

替代型号

LTC4357-1, LTC4358

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LTC4357HMS8#PBF参数

  • 数据列表LTC4357
  • 标准包装50
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - O 圈控制器
  • 系列-
  • 应用冗余电源,电信基础结构
  • FET 型N 沟道
  • 输出数1
  • 内部开关
  • 延迟时间 - 开启-
  • 延迟时间 - 关闭300ns
  • 电源电压9 V ~ 80 V
  • 电流 - 电源500µA
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
  • 供应商设备封装8-MSOP
  • 包装管件