时间：2025/5/23 0:52:17
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LTC3869 是一款高效率同步降压型 DC/DC 控制器，专为驱动全氮化镓 (GaN) 或硅功率 MOSFET 而设计。其工作电压范围宽广，能够支持高达 60V 的输入电压，并且提供恒定频率电流模式操作，具有快速瞬态响应和卓越的环路稳定性。
该芯片集成了两个栅极驱动器，可分别驱动同步整流电路中的高端和低端功率开关。此外，它还提供了多种保护功能，如过流保护、过压保护、欠压闭锁以及短路保护等，确保系统在异常情况下的安全性。
输入电压范围：4.5V 至 60V
输出电压范围：0.8V 至 38V
开关频率范围：200kHz 至 770kHz
最大占空比：97%
栅极驱动电压：10V
控制方式：恒定频率电流模式
工作温度范围：-40°C 至 125°C
封装形式：38 引脚 5mm x 7mm UFD
LTC3869 提供了卓越的性能表现，适用于高电压和大电流应用。其主要特点包括：
1. 支持全 GaN 功率级或传统硅基 MOSFET，提高了设计灵活性。
2. 集成的栅极驱动器具有快速的上升和下降时间，减少了开关损耗。
3. 内置自适应死区时间控制，优化了效率并降低了 EMI 辐射。
4. 可编程软启动功能防止启动时的浪涌电流。
5. 具备精准的 DCR 或电阻检测选项以实现精确的电流监测。
6. 提供了外部同步功能，便于多相或多转换器设计。
7. 提供全面的保护机制，增强了系统的可靠性与耐用性。
LTC3869 广泛应用于各种需要高效能电源管理的场景中，包括：
1. 通信设备中的分布式电源架构 (DPA) 系统。
2. 工业自动化和过程控制系统中的供电模块。
3. 数据中心服务器和网络交换机的电源解决方案。
4. 汽车电子和电动车辆中的高压直流变换器。
5. 太阳能逆变器以及其他需要高效率和高性能的应用领域。
LTC3869EDD, LTC3869EFE, LTC3869HUFD
