类型：N 沟道 MOSFET（双通道）
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：110mA
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　导通电阻（Rds(on)）：约 5Ω（典型值）
　　封装类型：SOT-23

LT2N7002 具备多项优异的电气和物理特性，使其在多种电路设计中表现卓越。
　　首先，该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），这有助于在开关状态下减少功率损耗，提高系统效率。其典型值约为 5Ω，适用于需要高效能的小型信号控制应用。
　　其次，LT2N7002 的栅极驱动电压范围较宽，允许在 1.8V 至 20V 的电压范围内稳定工作，使其兼容多种逻辑电平控制电路，如微控制器、FPGA 和 DSP 等。
　　此外，该 MOSFET 的开关速度较快，能够满足高频应用的需求，例如 DC-DC 转换器、负载开关和继电器驱动等。由于其快速响应能力，LT2N7002 可以有效降低开关损耗并提高系统响应速度。
　　该器件还具有良好的热稳定性和较高的可靠性。SOT-23 封装不仅体积小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用，同时具备良好的散热性能，确保器件在较高工作电流下仍能保持稳定运行。
　　LT2N7002 的双通道设计使得在一个封装中集成两个独立的 N 沟道 MOSFET 成为可能，从而减少了电路板空间的占用，简化了电路布局，并降低了整体设计成本。

LT2N7002 广泛应用于多个领域，包括但不限于以下几种场景：
　　在便携式电子设备中，LT2N7002 常用于电池供电系统的负载开关控制，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块。其低导通电阻和低功耗特性有助于延长电池续航时间。
　　在工业控制系统中，LT2N7002 可用于传感器信号切换、继电器驱动和小型电机控制等场合。其高速开关能力和良好的热稳定性使其在恶劣工业环境中依然可靠运行。
　　在通信设备中，LT2N7002 被广泛用于 RF 信号切换、数据总线隔离和逻辑电平转换等应用。其双通道结构允许同时控制两个独立信号路径，提高系统灵活性。
　　此外，LT2N7002 也适用于电源管理系统，如 DC-DC 转换器、LED 驱动电路以及各种低功率开关电路。其宽电压范围和优异的开关特性使其成为许多嵌入式系统和自动化控制设备中的理想选择。

2N7002, BSS138, 2N3904