时间：2025/8/28 7:23:48
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LT140SC-TE84L是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率电源管理应用，如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和电机控制。其高电流能力和低导通电阻使其在高功率应用中表现出色。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：30V
最大栅源电压(VGS)：±20V
最大连续漏极电流(ID)：12A
导通电阻(RDS(on))：30mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
安装类型：表面贴装
功率耗散(PD)：60W
LT140SC-TE84L具有低导通电阻，确保在高电流工作条件下具有最小的功率损耗。其导通电阻随温度的变化较小，有助于在各种工作条件下保持稳定性能。
此外，该MOSFET采用PowerFLAT 5x6封装，具有良好的热管理能力，能够有效散热，适用于高密度PCB布局。器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于提高开关速度，减少开关损耗，适用于高频开关应用。
该器件的耐雪崩能力较强，可承受一定的瞬态能量，提高系统可靠性。此外，其栅极驱动电压范围较宽（通常可在4.5V至20V之间工作），兼容多种驱动电路设计，便于在不同应用中使用。
LT140SC-TE84L符合RoHS环保标准，适用于对环境要求较高的电子产品设计。
LT140SC-TE84L广泛应用于各种电源管理系统和功率控制电路中。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池充电管理电路、电源管理系统（如笔记本电脑、平板电脑、智能设备）以及工业自动化控制系统。
在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载电源管理、LED照明驱动、车载充电器等场景。由于其封装小巧且热性能优越，也非常适合用于空间受限的便携式设备和高功率密度电源模块。
此外，LT140SC-TE84L还可用于功率因数校正（PFC）电路、电源适配器、UPS不间断电源系统以及太阳能逆变器等应用，确保高效能、高可靠性的电源转换。
STM32F103C8T6, FDP6030L, IRF3703PBF, NTD4859N
