时间：2025/8/14 7:17:37
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2N7002DW _R1 _00001 是一种常见的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于开关电路和逻辑电平转换应用。该器件具有高速开关特性，适用于数字电路和功率控制场合。2N7002DW通常采用SOT-363封装，适合表面贴装工艺。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）：300mA
导通电阻（Rds(on)）：5Ω（最大值）
功耗（Pd）：300mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SOT-363
2N7002DW具有多项优异的电气特性，使其在电子电路中应用广泛。其漏源电压为60V，可以承受较高的电压应力，适用于多种电源管理和开关应用。该MOSFET的栅源电压范围为±20V，提供了良好的栅极控制能力，并能防止栅极过压损坏。
最大漏极电流为300mA，使其适用于低功率开关和信号控制电路。导通电阻最大为5Ω，较低的导通电阻有助于减少导通损耗，提高效率。此外，2N7002DW的封装形式为SOT-363，体积小，便于在高密度PCB布局中使用。
该器件还具有快速开关特性，能够实现高效的高频操作，适合用于DC-DC转换器、负载开关、继电器驱动等应用。其工作温度范围广泛，从-55°C到+150°C，保证了在各种环境条件下的稳定性。
2N7002DW常用于数字电路中的逻辑电平转换、开关控制、继电器驱动、LED控制、电源管理以及低功率放大电路。由于其高速开关特性和紧凑的封装，也广泛应用于便携式设备和嵌入式系统。
2N7002K, 2N7002E, BSS138
