时间：2025/7/14 17:40:27
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LT06YD475MAT2W 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的功率 MOSFET 芯片，采用先进的制程技术制造。该器件主要用于需要高效率和低导通电阻的场景，广泛应用于电源管理、电机驱动、工业自动化等领域。
该芯片具有出色的开关性能和较低的导通损耗，能够有效提升系统的整体效率并减少热耗散。
类型：MOSFET
封装：TOLL
最大漏源电压(V_DS)：650V
最大栅极源极电压(V_GS)：±20V
连续漏极电流(I_D)：130A
导通电阻(R_DS(on))：4.7mΩ
总功耗(P_TOT)：260W
工作温度范围(T_J)：-55℃至175℃
LT06YD475MAT2W 提供了非常低的导通电阻 (R_DS(on))，从而降低了导通损耗，提高了整体效率。同时，它具备较高的漏源电压耐受能力 (650V)，适合高压应用环境。
此外，该器件还采用了 TOLL 封装形式，这种封装不仅有助于改善散热性能，还能提供更好的电气连接特性。芯片内部集成的 ESD 保护功能增强了其在恶劣环境中的稳定性。
由于其出色的开关速度和较低的寄生电容，这款功率 MOSFET 在高频应用中也表现出色，能够支持更高频率的开关操作而不显著增加开关损耗。
LT06YD475MAT2W 主要用于各种高压大电流场景下的功率转换与控制，包括但不限于以下领域：
- 开关电源 (SMPS)
- DC/DC 转换器
- 工业电机驱动
- 新能源汽车逆变器
- 太阳能逆变器
- 充电器及适配器
- 照明系统中的 LED 驱动
其卓越的性能使其成为上述应用场景的理想选择。
LT06YD475MAW2W, FGH60N65SMD, IRFB4110TRPBF
