类型：P 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：-20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：-7.5A
　　导通电阻（Rds(on)）：30mΩ @ Vgs = -4.5V，60mΩ @ Vgs = -2.5V
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装：TO-252

LSP7501SAG 的核心特性之一是其低导通电阻，这使得该器件在高电流条件下能够保持较低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。该 MOSFET 在 Vgs = -4.5V 时的 Rds(on) 为 30mΩ，在 Vgs = -2.5V 时为 60mΩ，表现出良好的导通性能。
　　此外，LSP7501SAG 具有快速的开关速度，能够适应高频开关应用，减少开关损耗，提高系统的响应速度和效率。其栅极电荷（Qg）较低，有助于降低驱动电路的负担，提高整体系统的稳定性。
　　该器件的封装形式为 TO-252，这种封装具有良好的散热性能，能够有效降低工作温度，延长器件的使用寿命。TO-252 封装也便于表面贴装工艺，适合自动化生产，提高制造效率。
　　LSP7501SAG 的额定漏源电压为 -20V，连续漏极电流为 -7.5A，适用于多种中等功率的电源管理应用。其最大功率耗散为 2.5W，能够在较高的工作温度下稳定运行，具备良好的热稳定性。
　　为了确保在恶劣环境下的可靠性，LSP7501SAG 提供了宽广的工作温度范围，从 -55°C 到 +150°C，适用于工业级应用，如电源适配器、电池管理系统和电机控制电路。

LSP7501SAG 主要应用于各种电源管理系统和高效率的功率转换设备中。由于其低导通电阻和快速开关特性，该器件广泛用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统中。其高电流能力和良好的热稳定性使其适用于电机控制和工业自动化设备中的功率开关应用。
　　在消费类电子产品中，LSP7501SAG 可用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理电路中，提供高效的功率控制解决方案。在汽车电子系统中，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等应用。
　　此外，LSP7501SAG 还适用于工业控制设备，如可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器和传感器接口电路，提供可靠的功率开关性能。其表面贴装封装形式也使其成为自动化生产中的理想选择。

Si4435BDY, IRML2803, FDMS8878