类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压(Vds)：-30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：-6A
　　导通电阻(Rds(on))：最大 33mΩ @ Vgs = -10V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：8 引脚 SOIC
　　保护功能：过流保护、欠压锁定
　　输入电容(Ciss)：典型值 780pF
　　

LSP2130C33AD 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，使其在低导通电阻方面表现优异，从而降低了功率损耗并提高了系统效率。其最大导通电阻为 33mΩ，在 -6A 负载下，功耗仅为 1.188W，这使其在高电流应用中仍能保持较低的温升。
　　该器件集成了多种保护功能，包括过流保护（OCP）、欠压锁定（UVLO）等，确保在异常工作条件下自动切断电路，保护系统免受损坏。过流保护功能通过内部电流检测电路实现，无需外部检测电阻，简化了电路设计并提高了可靠性。
　　LSP2130C33AD 的栅极驱动电压范围为 ±20V，兼容多种控制电路，包括 5V 和 12V 控制系统。其栅极输入电容（Ciss）典型值为 780pF，有助于减少开关损耗，提高响应速度。
　　该器件采用 8 引脚 SOIC 封装，具有良好的热性能，适用于表面贴装工艺，适合自动化生产。封装尺寸紧凑，适合在空间受限的 PCB 设计中使用，同时提供良好的散热能力。
　　此外，LSP2130C33AD 具有宽工作温度范围（-55°C 至 150°C），适用于工业级和汽车级应用，能够在恶劣环境下稳定运行。

LSP2130C33AD 主要应用于电源管理系统、负载开关、DC-DC 转换器、电机驱动、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备等领域。在电源管理系统中，它可以作为高侧开关，用于控制负载的通断，避免因过流或欠压导致的系统故障。在负载开关应用中，该器件能够有效隔离电源与负载，提升系统的稳定性和安全性。此外，LSP2130C33AD 还可用于电池供电设备，如笔记本电脑、便携式设备和电动工具，帮助延长电池寿命并提高系统效率。在工业自动化控制中，它适用于继电器替代、电机控制和传感器供电管理等场景，提供高效、可靠的功率控制方案。

Si7153DP-T1-GE3, TPS27081A-Q1, NCV8450BDT5G, AO8452