类型：ESD保护二极管阵列
　　通道数：4通道
　　工作电压（VRWM）：5.0V
　　击穿电压（VBR）：最小6.4V @ 1mA
　　最大钳位电压（VC）：13.0V @ IPP = 1A
　　峰值脉冲电流（IPP）：1.5A
　　峰值脉冲功率（PPEAK）：150W（8/20μs波形）
　　电容值（Cj）：典型值0.7pF（f = 1MHz, V = 0V）
　　漏电流（IR）：最大1μA @ VRWM
　　响应时间：小于1ps
　　封装形式：DFN-6（1.6mm x 1.6mm）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　引脚数量：6
　　极性配置：双向保护

LSM47K-H2L1-1具备卓越的瞬态抑制性能，能够在纳秒级时间内响应高达15kV的人体模型（HBM）ESD事件，并将瞬态电压钳制在安全范围内，防止敏感IC因过压而失效。其核心优势之一是超低结电容（典型值仅为0.7pF），这一特性使其非常适合用于高速差分信号线路如USB 2.0、HDMI、DisplayPort、MIPI等接口的保护，不会引入明显的信号衰减或失真，确保数据传输的完整性和稳定性。此外，该器件采用双向极性设计，能够应对正负方向的瞬态冲击，适用于交流耦合或双极性信号路径。
　　该TVS阵列使用先进的硅工艺制造，具备高度一致的电气特性和长期可靠性，在多次ESD冲击后仍能保持稳定的性能表现。其DFN-6小型封装不仅节省PCB空间，还通过优化内部结构降低了寄生电感，提升了高频下的保护效率。器件符合RoHS环保标准，并通过了IEC 61000-4-2 Level 4（接触放电±8kV，空气放电±15kV）、IEC 61000-4-4以及IEC 61000-4-5等多项国际电磁兼容性测试标准，适合在严苛电磁环境中部署。
　　LSM47K-H2L1-1还具备极低的漏电流（最大1μA），这意味着在正常工作状态下几乎不消耗额外电流，有利于降低系统功耗，尤其适合电池供电设备。其宽泛的工作温度范围（-40°C至+125°C）也增强了环境适应能力，可在高温工业环境或低温户外条件下稳定运行。整体设计兼顾了高性能、小尺寸与高可靠性，是现代高密度电子系统中理想的ESD防护解决方案。

LSM47K-H2L1-1广泛应用于各类需要高等级静电防护的高速数据接口保护场景。典型应用包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑中的USB Type-A/C、Micro-USB、HDMI、音频插孔和触摸屏控制器信号线保护。在可穿戴设备如智能手表和无线耳机中，由于空间极为有限且易受人体静电影响，该器件的小型封装和高效保护能力显得尤为重要。此外，它也被用于工业传感器模块、医疗监测设备、车载信息娱乐系统的通信端口，以及路由器、交换机等网络通信设备的数据线路中，提供可靠的瞬态电压防护。
　　在MIPI DSI/CSI接口、I2C总线、GPIO信号线、按键输入端口等低电压、高灵敏度节点上，LSM47K-H2L1-1可以有效抑制来自外部接触或电缆感应的ESD脉冲，避免引起系统复位、数据错误或永久性损坏。其低电容特性确保不影响原始信号的眼图质量，满足高速信号传输的设计要求。同时，该器件常被集成于主板边缘连接器附近或靠近I/O接口的位置，作为第一道防线抵御外部静电侵入。由于符合严格的EMC认证标准，因此也适用于出口类电子产品以满足全球市场的合规需求。