类型：双极型晶体管阵列
　　晶体管数量：5 个 NPN 达林顿晶体管
　　集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极电流（Ic）：500mA/每个晶体管
　　总耗散功率（Pd）：1W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：16-TSSOP
　　安装类型：表面贴装（SMT）

LSI1013N3T5G 晶体管阵列具有多个 NPN 达林顿晶体管，能够提供高电流增益，使其在驱动大电流负载时表现出色。每个晶体管的集电极-发射极电压最大为 30V，集电极电流可达 500mA，适用于多种中低功率应用。其达林顿结构增强了电流放大能力，降低了基极驱动电流的需求。
　　该器件的 16-TSSOP 封装设计节省了 PCB 空间，适合高密度电路板布局。同时，LSI1013N3T5G 具有良好的热稳定性和可靠性，能够在 -55°C 至 150°C 的宽温度范围内工作，适用于工业级和汽车电子应用。
　　此外，LSI1013N3T5G 还集成了内部续流二极管，以保护晶体管免受感性负载反向电压的影响，这在驱动继电器、电机或 LED 阵列时尤为重要。该器件的低饱和压降特性也有助于降低功耗，提高系统效率。

LSI1013N3T5G 广泛应用于需要多个晶体管驱动的电路中，例如工业自动化控制、汽车电子系统、LED 显示驱动、继电器或电机控制模块等。其高电流增益和集成化设计使其成为多路开关控制的理想选择。
　　在嵌入式系统中，LSI1013N3T5G 可用于增强微控制器输出引脚的驱动能力，从而直接控制多个外部设备，如小型继电器、直流电机或 LED 灯串。其低输入基极电流需求使其非常适合与 TTL 或 CMOS 逻辑电平接口。
　　此外，该器件也可用于电源管理系统、测试设备、自动化测试设备（ATE）以及各种工业控制板中，提供可靠的多路晶体管开关功能。

ULN2003A, TIP120, L298N