时间：2025/5/7 10:05:47
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LSF0101DRYR是一款N沟道逻辑增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于需要低导通电阻和快速开关速度的应用场景。其封装形式为DFN8L (2x2)，具有小型化、高散热效率的特点，适合用于便携式设备和空间受限的设计中。
这款MOSFET在低压应用中表现优异，例如负载开关、DC-DC转换器、电池保护电路以及电机驱动等领域。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：1.5A
导通电阻(Rds(on))：40mΩ @ Vgs=4.5V
栅极电荷(Qg)：3nC
开关时间：典型值ton=9ns，toff=16ns
工作温度范围：-55°C to +150°C
1. 极低的导通电阻确保了更高的效率和更低的功耗。
2. 快速开关性能使得该器件非常适合高频应用。
3. 小型DFN8L封装提高了设计灵活性并节省了PCB空间。
4. 高可靠性和稳健的电气性能使其能够应对苛刻的工作环境。
5. 符合RoHS标准，环保且适合现代电子产品的制造要求。
1. 移动设备中的负载开关。
2. 降压和升压DC-DC转换器。
3. 电池供电系统中的保护电路。
4. 消费类电子产品中的小型电机驱动。
5. 各种电源管理解决方案中的关键组件。
STL180N3LLH5
SI2307DS
FDMC881P
