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LSF0101DRYR 发布时间 时间:2025/5/7 10:05:47 查看 阅读:19

LSF0101DRYR是一款N沟道逻辑增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件适用于需要低导通电阻和快速开关速度的应用场景。其封装形式为DFN8L (2x2),具有小型化、高散热效率的特点,适合用于便携式设备和空间受限的设计中。
  这款MOSFET在低压应用中表现优异,例如负载开关、DC-DC转换器、电池保护电路以及电机驱动等领域。

参数

最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±8V
  连续漏极电流(Id):1.5A
  导通电阻(Rds(on)):40mΩ @ Vgs=4.5V
  栅极电荷(Qg):3nC
  开关时间:典型值ton=9ns,toff=16ns
  工作温度范围:-55°C to +150°C

特性

1. 极低的导通电阻确保了更高的效率和更低的功耗。
  2. 快速开关性能使得该器件非常适合高频应用。
  3. 小型DFN8L封装提高了设计灵活性并节省了PCB空间。
  4. 高可靠性和稳健的电气性能使其能够应对苛刻的工作环境。
  5. 符合RoHS标准,环保且适合现代电子产品的制造要求。

应用

1. 移动设备中的负载开关。
  2. 降压和升压DC-DC转换器。
  3. 电池供电系统中的保护电路。
  4. 消费类电子产品中的小型电机驱动。
  5. 各种电源管理解决方案中的关键组件。

替代型号

STL180N3LLH5
  SI2307DS
  FDMC881P

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LSF0101DRYR参数

  • 现有数量2,003现货
  • 价格1 : ¥5.09000剪切带(CT)5,000 : ¥1.25211卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 转换器类型电压电平
  • 通道类型双向
  • 电路数1
  • 每个电路通道数1
  • 电压 - VCCA0.95 V ~ 4.5 V
  • 电压?- VCCB1.8 V ~ 5.5 V
  • 输入信号-
  • 输出信号-
  • 输出类型开漏极,推挽式
  • 数据速率-
  • 工作温度-40°C ~ 125°C(TA)
  • 特性自动方向检测
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳6-UFDFN
  • 供应商器件封装6-SON(1.45x1)