类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：150V
　　栅源电压（VGS）：20V
　　连续漏极电流（ID）：120A（在TC=25℃）
　　功耗（PD）：300W
　　导通电阻（RDS(ON)）：最大5.3mΩ（在VGS=10V时）
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装类型：TO-247

A1515Q的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体效率。该MOSFET采用了东芝先进的U-MOS?技术，确保了器件在高频开关应用中的稳定性和可靠性。此外，A1515Q具有高耐压能力和大电流承载能力，适用于各种高功率密度设计。
　　该器件的TO-247封装形式提供了良好的热管理和电气性能，便于安装在散热器上以提高散热效率。A1515Q还具有优异的雪崩能量耐受能力，使其在面对高能量瞬态情况时仍能保持稳定运行。
　　另外，A1515Q在栅极驱动电压为10V时即可实现接近完全导通状态，降低了对驱动电路的要求，同时有助于提高系统的响应速度和效率。其高dv/dt耐受能力也使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗和电磁干扰（EMI）问题。

A1515Q广泛应用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统中，例如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统以及不间断电源（UPS）等。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电动汽车（EV）的电源管理系统。
　　由于其出色的电气性能和耐用性，A1515Q也非常适合用于工业自动化设备、太阳能逆变器、储能系统和高功率LED照明驱动器等应用。其高电流能力和低导通电阻特性使其成为设计高性能功率转换器的理想选择。

SiHF120N150D, IXFN120N150P