LSE67B 时间：2025/9/26 8:39:45 阅读：5

LSE67B是一款由ONSEMI（安森美）生产的表面贴装肖特基势垒二极管，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器以及反向电压保护等场景。该器件采用紧凑的封装形式，适合高密度PCB布局，具有低正向压降和快速开关特性，有助于提升系统效率并减少热损耗。LSE67B特别适用于便携式电子设备、消费类电子产品及工业控制电路中，作为整流或续流二极管使用。其设计符合RoHS环保标准，并具备良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。该二极管在同步整流拓扑结构中表现出色，能够有效降低功耗，提高整体电源转换效率。此外，LSE67B还具备较高的峰值电流承受能力，可在瞬态负载条件下保持稳定运行，是现代高效能电源系统中的关键组件之一。

参数

型号：LSE67B
　　极性：单个肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：60V
　　最大平均正向整流电流（IO）：1A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms半正弦波）
　　最大正向压降（VF）：550mV @ 1A（典型值）
　　最大反向漏电流（IR）：400μA @ 60V，25°C
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：SOD-123FL
　　安装类型：表面贴装（SMT）

特性

LSE67B的核心优势在于其低正向压降特性，这使得它在传导大电流时产生的热量远低于传统PN结二极管。这种低VF表现得益于其肖特基势垒结构，利用金属-半导体接触形成势垒，从而显著降低了导通时的能量损耗。在实际应用中，例如在DC-DC降压转换器的续流路径中，LSE67B可以大幅减少功率损失，提升整体转换效率，尤其在轻载和中等负载条件下效果更为明显。同时，由于其快速的反向恢复时间（几乎为零），该器件在高频开关环境下不会产生明显的反向恢复电荷，避免了由此引发的开关尖峰和电磁干扰问题，有助于简化EMI滤波设计。
　　另一个重要特性是其优异的热性能与小型化封装的结合。LSE67B采用SOD-123FL超薄表面贴装封装，体积小巧，便于在空间受限的应用中使用，如智能手机、平板电脑和其他便携式设备。尽管尺寸小，但其引脚设计优化了散热路径，使热量能更有效地从芯片传递到PCB，提升了功率密度和长期可靠性。此外，该器件具备良好的抗浪涌能力，可承受高达30A的非重复峰值电流，确保在电源启动或负载突变等瞬态工况下仍能安全运行。
　　LSE67B还具备出色的温度稳定性，其反向漏电流随温度上升的增长速率相对较低，在高温环境下仍能维持较好的阻断性能。这一特性使其适用于汽车电子、工业控制等对环境耐受性要求较高的领域。综合来看，LSE67B凭借其高效、紧凑、可靠的特点，成为众多电源管理系统中理想的整流与保护元件。

应用

LSE67B常用于各类需要高效能整流和低损耗续流的电源电路中，典型应用场景包括便携式电子设备的电池充电管理模块、DC-DC转换器中的续流二极管、反向电压极性保护电路、电源输出端的防倒灌二极管以及各种低电压高效率的开关电源拓扑结构。此外，它也适用于LED驱动电源、USB供电接口、物联网设备及智能家居产品中的电源路径管理。在汽车电子领域，可用于车载信息娱乐系统、传感器供电单元等对空间和效率有严格要求的子系统。由于其快速响应特性和低噪声表现，LSE67B还可用于高频整流和信号解调等模拟电路中。