时间：2025/9/2 6:47:12
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H9TQ26ADFTBCUR-KUM 是一款由SK Hynix（海力士）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动LPDDR4（Low Power Double Data Rate 4）系列。该芯片专为移动设备和高性能计算应用设计，具有低功耗、高带宽和高密度存储的特点。该封装采用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装技术，适用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统等需要高密度存储和低功耗的应用场景。
容量：2GB（16Gb）
架构：x16
电压：1.1V
时钟频率：1600MHz
数据速率：3200Mbps
封装类型：FBGA
封装尺寸：138-ball
工作温度：-40°C ~ 85°C
H9TQ26ADFTBCUR-KUM 是一款高性能、低功耗的LPDDR4 SDRAM芯片，具备多项关键特性以满足现代移动设备和嵌入式系统的严苛要求。其主要特性包括低电压运行、高速数据传输能力、紧凑型封装设计以及良好的温度适应性。
首先，该芯片采用LPDDR4标准，工作电压为1.1V，相较于前代LPDDR3的1.2V和1.5V标准，功耗显著降低，有助于延长移动设备的电池续航时间。同时，低电压设计也减少了芯片在运行过程中的热量产生，提高了系统的稳定性。
H9TQ26ADFTBCUR-KUM 主要应用于需要高性能、低功耗内存的移动设备和嵌入式系统。典型的应用包括智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、车载信息娱乐系统（IVI）、高级驾驶辅助系统（ADAS）、工业控制设备以及物联网（IoT）设备等。其高速数据传输能力和低电压设计使其成为多任务处理和高性能计算平台的理想选择。
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