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LSC20N65 发布时间 时间:2025/8/17 1:57:54 查看 阅读:21

LSC20N65是一种N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要设计用于高电压和高电流的应用。该器件采用先进的平面工艺技术制造,具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性和可靠性。LSC20N65通常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动和各种功率管理应用。由于其高性能和多功能性,这款MOSFET在工业电子、汽车电子以及消费类电子产品中广泛应用。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(Vds):650V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):20A
  导通电阻(Rds(on)):约0.25Ω(最大值)
  功耗(Pd):125W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-220、TO-263(D2PAK)等

特性

LSC20N65的主要特性之一是其较高的漏源击穿电压(650V),这使得该器件能够承受较高的电压应力,适用于高压电源转换系统。此外,该MOSFET的连续漏极电流可达20A,能够在较高负载条件下稳定运行,满足大功率应用的需求。其导通电阻较低,有助于减少导通损耗,提高系统的整体效率。同时,LSC20N65具备良好的热稳定性,能够在高温环境下保持性能稳定,提高设备的可靠性和寿命。
  另一个显著特点是其封装形式多样,常见的有TO-220和TO-263(D2PAK),这些封装形式不仅具有良好的散热性能,而且便于安装和焊接,适用于多种电路设计环境。该器件的栅极驱动电压范围较宽,通常为10V至20V之间,这使得LSC20N65可以与多种驱动电路兼容,提高了设计的灵活性。
  LSC20N65还具有快速开关特性,能够在高频率下运行,适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。其内部结构优化设计,减少了寄生电容和电感效应,提高了开关速度并降低了开关损耗。此外,该MOSFET具有较高的抗雪崩能力,能够在过载或短路情况下提供一定的保护作用,增强了系统的安全性和稳定性。

应用

LSC20N65广泛应用于各种功率电子设备中,尤其是在需要高压和高电流能力的场合。例如,在开关电源(SMPS)中,该器件可以用作主开关元件,负责将输入的交流或直流电压转换为所需的输出电压,并保持高转换效率。在DC-DC转换器中,LSC20N65可用于升压(Boost)或降压(Buck)拓扑结构,实现高效的电压调节。此外,该MOSFET也常用于电机驱动电路中,作为功率开关控制电机的启停和转速,适用于工业自动化设备、电动车控制器等应用。
  在消费类电子产品中,LSC20N65可用于LED驱动电源、充电器、逆变器等设备,以提供稳定的功率输出。在新能源领域,如太阳能逆变器和风力发电系统中,该器件也可用于功率转换和调节。此外,LSC20N65还可用于电池管理系统(BMS)、不间断电源(UPS)以及各种工业控制设备中,发挥其高可靠性和高性能的优势。

替代型号

IRF20N65C、FQP20N65C、STP20N65M5、IPW65R025CFD、SiHP025N65CFDT

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