时间：2025/12/3 19:03:21
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MLF1005GR82KT000是一款由TDK公司生产的多层铁氧体磁珠，属于MLF系列，专为高频噪声抑制设计。该器件采用小型化0402（1005公制）封装，适用于空间受限的便携式电子设备。其主要功能是通过在特定频率范围内呈现高阻抗特性，有效吸收并抑制高频噪声，从而提升信号完整性与系统电磁兼容性（EMC）。该磁珠的标称阻抗为0.82Ω（直流电阻），在100MHz测试条件下，其额定阻抗为82Ω，允许±10%的公差范围，确保在目标频段内具备稳定的滤波性能。MLF1005GR82KT000采用片式结构，内部由铁氧体材料和金属电极交替堆叠构成，形成一个非理想电感元件，其阻抗随频率升高而增加，在数百MHz至GHz频段表现出优异的噪声衰减能力。该器件广泛应用于移动通信设备、无线模块、数字逻辑电路及电源线路中的EMI滤波场景。
型号：MLF1005GR82KT000
制造商：TDK
封装尺寸：1005（0402）
直流电阻（DCR）：0.82Ω 最大
额定电流：500mA
阻抗频率：100MHz
标称阻抗：82Ω ±10%
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
存储温度范围：-55°C 至 +125°C
端电极结构：Ni/Cu/Sn三层电镀
产品类型：表面贴装磁珠
RoHS合规性：符合
MLF1005GR82KT000具备出色的高频噪声抑制能力，其核心特性在于利用铁氧体材料的频率依赖性阻抗响应。在低频或直流信号下，该磁珠呈现较低的阻抗，仅引入轻微压降，对正常信号传输影响极小；而在高频干扰信号（如开关噪声、时钟谐波或射频串扰）出现时，其阻抗迅速上升，尤其是在100MHz至1GHz范围内可达到数十至数百欧姆的阻抗值，从而将噪声能量以热能形式耗散，实现高效滤波。该器件采用多层陶瓷工艺制造，确保了良好的可靠性和机械稳定性，同时具备优异的焊接适应性，适合回流焊工艺。其小型化0402封装极大节省PCB布局空间，特别适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等紧凑型电子产品。
该磁珠具有较低的直流电阻（最大0.82Ω），有助于减少功率损耗，提高电源效率，尤其适合用于电池供电设备的电源线滤波。此外，其额定电流可达500mA，足以满足大多数低功耗IC的供电需求，如基带处理器、射频收发器、传感器模块等的去耦应用。MLF1005GR82KT000还具备良好的温度稳定性，在-55°C至+125°C宽温范围内保持性能一致性，适用于严苛工作环境。器件符合RoHS标准，无铅且环保，支持现代绿色制造要求。其端电极为Ni/Cu/Sn三层结构，提供优良的可焊性和长期可靠性，防止因热循环或潮湿引发的焊接失效。总体而言，该磁珠在噪声抑制性能、尺寸、电流承载能力和环境适应性之间实现了良好平衡，是高频EMI滤波的理想选择之一。
MLF1005GR82KT000广泛应用于各类需要高频噪声抑制的电子系统中。典型应用场景包括移动通信设备中的射频前端模块电源滤波，用于抑制本振信号泄漏和防止外部干扰进入敏感电路；在高速数字电路中，可用于SPI、I2C、USB等信号线的串联滤波，消除高频振铃和串扰；也可部署于微控制器、FPGA或ASIC的I/O引脚处，提升系统的电磁兼容性。此外，该器件常用于便携式消费电子产品如智能手机、智能手表、TWS耳机的电源管理单元（PMU）输出端，滤除DC-DC转换器产生的开关噪声，保障音频、摄像头模组等模拟电路的信号纯净度。在无线模块（如Wi-Fi、蓝牙、NB-IoT）中，该磁珠可用于VDD射频供电路径，防止噪声耦合至天线系统造成辐射超标。由于其小型化封装和高可靠性，也适用于汽车电子中的车载信息娱乐系统和ADAS传感器模块的EMI对策设计。
BLM18PG820SN1D
DLW21HN820XK2
