时间：2025/12/28 21:05:11
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LS044Q7DH01是一款由乐山无线电股份有限公司（Leshan Radio Company, 简称LRC）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等高功率电子系统中。LS044Q7DH01采用先进的沟槽式技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适合在高频率和高效率应用中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：40A
导通电阻（Rds(on)）：最大值28mΩ（在Vgs=10V）
功耗（Pd）：125W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
LS044Q7DH01的核心优势在于其低导通电阻，这使其在高电流应用中能够显著降低功率损耗并提高系统效率。该MOSFET采用先进的沟槽式结构设计，使得在相同的封装尺寸下，能够提供比传统平面结构MOSFET更高的电流承载能力。此外，LS044Q7DH01具有良好的热稳定性，在高功率运行条件下能够保持稳定的性能。
该器件的栅极氧化层设计能够承受高达±20V的栅源电压，提高了在高噪声环境下的可靠性。此外，LS044Q7DH01具有较快的开关速度，适用于高频率开关应用，如同步整流、电源转换器和马达驱动电路。
TO-252（DPAK）封装形式不仅提供了良好的散热能力，而且具备较高的机械强度和易于安装的特点，适用于表面贴装工艺。
LS044Q7DH01广泛应用于各种电源管理系统中，包括DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、电源适配器以及工业自动化控制设备。由于其优异的导通性能和热管理能力，该MOSFET也适用于需要高效能和紧凑设计的消费类电子产品，如笔记本电脑、平板电脑和智能电源插座等。
IRF3710, Si444N, AON6418
