类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：100mA
　　漏极-源极电压（Vds）：12V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±12V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大2.5Ω @ Vgs=4.5V
　　功率耗散：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOT-223

LRK7002LT1G具有多项优秀的电气特性和可靠性优势，适用于多种低功率应用。
　　首先，该MOSFET采用了先进的Trench沟槽技术，这有助于降低导通电阻并提高器件的开关性能。其导通电阻在Vgs=4.5V时最大为2.5Ω，能够有效减少导通损耗，提高系统的整体效率。
　　其次，该器件的漏极-源极电压为12V，栅极-源极电压为±12V，适用于低压电源管理应用，如电池供电设备、DC-DC转换器和负载开关。同时，其漏极电流能力为100mA，虽然属于小功率MOSFET，但在轻负载应用中表现出色。
　　LRK7002LT1G采用SOT-223封装，具有良好的热性能和较小的封装尺寸，非常适合用于空间受限的PCB设计。此外，该封装也便于自动化贴片生产和散热管理。
　　最后，该MOSFET具有较宽的工作温度范围（-55°C至+150°C），能够在恶劣的环境条件下稳定工作，提高了器件的可靠性和适用性。

LRK7002LT1G主要用于低功率电源管理和开关控制应用。其典型应用场景包括电池供电设备中的电源开关、DC-DC转换器中的同步整流、负载开关和信号切换电路。此外，由于其快速的开关特性和低导通电阻，该器件也适用于需要高效能和低功耗的便携式电子设备，如智能手机、平板电脑、穿戴设备和小型传感器模块。

2N7002, BSS138, 2N7000, FDV301N, IRLML2402