时间：2025/12/23 22:22:59
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SI2369DS-T1 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的硅工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于各种电源管理应用中。其封装形式为 TO-252 (DPAK)，能够提供优异的热性能和电气性能。
该型号属于 Sixx 系列 MOSFET，广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等场景。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：18A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：20nC
总电容：970pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SI2369DS-T1 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件在过载条件下的可靠性。
3. 快速开关速度，减少了开关损耗并支持高频操作。
4. 小型化 DPAK 封装，便于 PCB 布局设计，并且具有良好的散热性能。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
这些特性使 SI2369DS-T1 成为众多高效能应用的理想选择。
该芯片适用于多种电子设备和系统：
1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关。
2. 各类 DC-DC 转换器模块。
3. 便携式电子产品中的负载开关。
4. 工业控制系统的电机驱动电路。
5. 电池管理系统中的保护和充放电控制。
由于其低 Rds(on) 和高电流承载能力，SI2369DS-T1 在需要高性能和高效率的应用领域表现出色。
SI2370DS-T1
SI2372DS-T1
IRF7843
FDP5580
