类型：肖特基二极管阵列
　　配置：双独立二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：35V
　　平均整流电流（IO）：1.0A
　　正向压降（VF）：典型值0.32V @ 0.5A, 最大值0.45V @ 1A
　　反向漏电流（IR）：最大10μA @ 25°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-323 或类似小型表面贴装封装
　　热阻（RθJA）：约350°C/W
　　反向恢复时间（trr）：≤ 5ns

LRCPDP-JSJU-1-0-350-R18 具备卓越的电气性能和高可靠性，其核心优势在于采用了先进的肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降，从而显著降低了导通状态下的功率损耗。这一特性使其在电池供电设备和高效电源系统中尤为关键，有助于延长续航时间并提升整体系统效率。由于没有PN结带来的少数载流子存储效应，该器件具有极快的开关速度，反向恢复时间可控制在5纳秒以内，有效抑制了高频开关过程中产生的电压尖峰和电磁干扰，提升了系统的稳定性与EMI兼容性。
　　该二极管阵列采用紧凑型表面贴装封装，适合自动化贴片生产，节省PCB空间，适用于高密度布局的便携式电子产品如智能手机、平板电脑、无线耳机和可穿戴设备。其双二极管结构允许灵活配置为共阴极或独立使用，满足多种电路拓扑需求，例如同步整流辅助、输出端极性保护或反并联钳位电路。
　　器件在高温环境下仍保持良好的反向阻断能力，最大反向漏电流在常温下不超过10微安，在125°C高温结温时也仅轻微上升，确保在恶劣工况下的长期稳定性。此外，产品通过AEC-Q101车规级可靠性测试的可能性较高，可用于汽车电子中的小功率电源管理模块。其金属电极与半导体接触经过优化处理，提高了抗浪涌电流能力，在瞬态负载切换时具备更强的耐受性。整体设计兼顾了高性能、小型化与环境适应性，是现代高效能电子系统中理想的整流与保护元件选择。

该器件广泛应用于各类需要高效、高频整流的电子电路中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的DC-DC升压或降压转换器，作为续流二极管或防倒灌二极管使用，有效减少能量损耗并提高电源转换效率。在USB供电接口、充电管理模块中，LRCPDP-JSJU-1-0-350-R18可用于电源路径控制和反向电流阻断，防止电池反向放电，提升系统安全性。
　　在LED驱动电路中，该二极管可用作箝位元件，吸收电感产生的反向电动势，保护开关器件免受高压冲击。此外，在通信设备的电源模块、传感器供电单元以及工业控制板卡中，该器件因其高可靠性和快速响应能力而被广泛采用。
　　由于其小型化封装和低剖面设计，特别适用于空间受限的高密度印刷电路板布局，如TWS耳机充电仓、智能手表主板、微型传感器模组等。在汽车电子领域，可用于车载信息娱乐系统的小功率电源整流、LED照明驱动或车身控制模块中的信号整流电路。同时，也可作为逻辑电平隔离、信号解耦和噪声抑制元件，在数字电路中发挥重要作用。

SS14
　　RB520S30T1G
　　BAT54C
　　MBR0520